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intel：EUV技術(shù)性已提前準備好，但仍遭遇極大挑戰(zhàn)
intel(Intel)EUV方案的責(zé)任人Britt Turkot表達，其極紫外線(EUV)微影技術(shù)性早已“搞好了提前準備…而且資金投入了很多的科研開發(fā)”。她一起表達，要掌控這一繁雜而價格昂貴的系統(tǒng)軟件來生產(chǎn)制造大批領(lǐng)跑集成ic，技術(shù)工程師們依然遭遇許多挑戰(zhàn)。
Turkot還詳細介紹，intel在俄勒岡州波特蘭市(Portland, Oregon)的超大加工廠中正運行著大如屋子的EUV系統(tǒng)軟件，但她并沒有表露EUV將怎樣或是不是用以該企業(yè)現(xiàn)階段的10納米技術(shù)(nm)商品或方案中的7納米技術(shù)連接點。
intel是二十幾年前協(xié)助開發(fā)設(shè)計這項技術(shù)的好多個半導(dǎo)體材料企業(yè)之首，但都是最終一間確定應(yīng)用它的企業(yè)。上年，其競爭者三星手機(Samsung)和臺積電(TSMC)各自公布早已在應(yīng)用EUV系統(tǒng)軟件來拓展其7納米技術(shù)連接點，以在硅芯片上保持最好的作用或特點。
殊不知，臺積電的N7+僅在4個金屬材料層上選用了EUV，這代表它依然必須在別的金屬材料層應(yīng)用傳統(tǒng)式滲入式步進電機器的雙向圖樣曝出技術(shù)性。
臺積電的決策將會是“有關(guān)貨運量，她們有著的EUV設(shè)備總數(shù)，及其成本費上的衡量…三星手機將會會在EUV設(shè)備上做大量資金投入，”一名不肯表露名字的內(nèi)部人士表達。
每一EUV系統(tǒng)軟件成本增加達大概1.5億美金，而商業(yè)生產(chǎn)流水線必須好幾個EUV。
臺積電新聞發(fā)言人孫又文表達：“人們的確在多層面中布署了雙向圖樣曝出技術(shù)性。”她回絕表露臺積電在其N7+連接點中應(yīng)用EUV的金屬材料疊加層數(shù)。“根據(jù)多種多樣要素考慮到一起應(yīng)用滲入式雙向圖樣曝出與EUV技術(shù)性，EUV的成本費和成熟情況與滲入式對比或許很關(guān)鍵。”
三星手機已經(jīng)積極主動減少其選用EUV的7納米技術(shù)連接點價錢，它為某些原創(chuàng)企業(yè)出示了1個全方位掩模套服，其價錢小于其競爭者的雙層掩模(MLM)套服。臺積電于2007年發(fā)布了MLM套服用于減少小大批量生產(chǎn)的成本費，而聽說三星手機的全方位掩模套服其成本費只能MLM的60%上下。
三星手機回絕從總體上代工企業(yè)的產(chǎn)品報價或怎么使用EUV發(fā)帖子。一名三星手機高層住宅負責(zé)人推斷，intel延遲時間其10納米技術(shù)加工工藝的發(fā)布時間，一部分緣故取決于其勵志于建設(shè)地方案應(yīng)用COAG(contact over active gate)技術(shù)性。她說，三星手機將逐漸向COAG邁入，但回絕出示關(guān)鍵點。
intel工程項目長(chief engineering officer)Murthy Renduchintala在他近期的一篇文章部落格文章內(nèi)容連用勵志于建設(shè)來敘述該企業(yè)的10納米技術(shù)連接點。他表達10納米芯片已經(jīng)資金投入生產(chǎn)制造，而7納米技術(shù)連接點已經(jīng)優(yōu)良進度中。
Turkot表達，intel都還沒決策將在是多少金屬材料層上選用EUV，并填補說，挑選在什么層上運用EUV是科學(xué)研究，一起都是造型藝術(shù)。“各層耗費的成本費并不是1個簡易的測算， 它并不是立即政治經(jīng)濟學(xué)。”
舉例來說，單獨EUV曝出能夠 將層的掩模數(shù)降低，有時候比例達至5：1。而滲入式步進電機器的雙向圖樣曝出則有利于減少邊沿置放不正確，她強調(diào)。
系統(tǒng)可靠性是危害成本費的另外自變量。intel現(xiàn)階段匯報的其EUV系統(tǒng)軟件一切正常運作時間約為75%~80%。“這一大數(shù)字長久看來是不夠的，但卻得以導(dǎo)入這項技術(shù)，”Turkot說。“人們期待它能超過90時代滲入式的一切正常運作時間。”
Turkot強調(diào)，喜訊是關(guān)機時間“更非常容易分折”了。“以往這樣的事情極不能分折，(這促使)保持產(chǎn)品系列，及其深化開發(fā)量產(chǎn)線越來越很艱難。”
可信性的改善絕大多數(shù)來源于于“掌握典型性意料中的微影小工具關(guān)機時間，創(chuàng)建專業(yè)技能迅速確診難題，并在全部精英團隊中執(zhí)行必需的解決方法。”
對EUV貨運量的關(guān)心現(xiàn)階段關(guān)鍵集中化在燈源的輸出功率上。EUV燈源是1個重要且繁雜的部件，它穿透用雷射敲擊幾滴熔融的錫來造成光，殊不知，在實作中，Turkot提議了另外EUV部件—光粉塵收集器，其已經(jīng)變成保證系統(tǒng)貨運量和一切正常運作時間的更關(guān)鍵的原素。
intelEUV系統(tǒng)軟件的燈源輸出功率范疇從205W~285W。在圓晶級別，“因為應(yīng)用了粉塵收集器，他們出示同樣的輸出功率，”Turkot說。“但圓晶輸出功率由于粉塵收集器的衰退每日都會轉(zhuǎn)變。”
這兒，再提及1個喜訊，就是說“ASML的總體目標很清楚，穿透拆換粉塵收集器來驅(qū)動器曝出源輸出功率和關(guān)機時間的改進…去除固定不動支出、拆換粉塵收集器、恢復(fù)系統(tǒng)并降低環(huán)境污染率，ASML在這種層面已獲得了挺大進度。”
另一個，ASML如今出示這種稱為塑料薄膜的原膜，它能夠 維護圓晶免遭礦酸物體的危害，不然礦酸物體會環(huán)境污染他們并減少生產(chǎn)量。
憧憬未來，科學(xué)研究工作人員擔(dān)憂被稱作隨機指標的隨機誤差難題會毀壞或不可以進行用EUV系統(tǒng)軟件繪圖圖樣，這將限定他們在5納米技術(shù)及左右的運用。
Turkot卻對于表達開朗，隨之EUV燈源和抗蝕劑有機化學(xué)層面的發(fā)展，這種難題會獲得改進。
“光子美容打靶噪音能夠 穿透更大的曝光率來擺脫。而抗蝕劑中有機化學(xué)層面的發(fā)展則必須抗蝕劑界開展很多產(chǎn)品研發(fā)工作中。”
“她們務(wù)必掌握高效率能量曝出造成的二次電子和正離子中原材料的放熱反應(yīng)…現(xiàn)在還沒有就化學(xué)物質(zhì)隨機指標的量度達成協(xié)議，”Turkot注重，雖然早已有許多畢業(yè)論文討論了這一主題風(fēng)格。
“針對現(xiàn)階段EUV的應(yīng)用，我不會覺得隨機指標會對生產(chǎn)量有危害，但當EUV拓展到5納米技術(shù)及左右連接點時，這會是1個潛在性的限定要素。等你那天，期待抗蝕劑供應(yīng)商早已對其有充足的了解能夠 擺脫它。重要是如今還要勤奮。”
Turkot回憶初次見到今日的EUV系統(tǒng)軟件時，“它的巨大經(jīng)營規(guī)模和多元性是輾壓性的”，而用以3納米技術(shù)及左右連接點的下代系統(tǒng)軟件也要大很多。
從總體上，Turkot覺得還有機會選用這一巨大的系統(tǒng)軟件來促進半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢是“十分有使用價值的”。“與一切新服務(wù)平臺相同，EUV的健全必須努力許多勤奮。人們的總體總體目標是保持無縫拼接銜接，在芯片生產(chǎn)全過程中看不出來有什么不同。”