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公司新聞
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說明 SiC MOSFET 在電力電子領域的優勢
SiC MOSFET 的低導通和開關損耗是設計工程師需要在更高電壓下實現高工作頻率的關鍵因素。這為電力電子應用（例如快速電池充電器和伺服驅動器）的設計人員帶來了許多優勢。然而，碳化硅 MOSFET 會因 PTO 事件而遭受更大的損失，因此需要仔細選擇器件和驅動電路設計以減輕這些影響。器件對 PTO 的敏感性可以從數據表參數中估算出來，但可以使用合適的評估板進行更全面的表征。
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傳感器能效推動系統的未來
在支持 AI 系統的傳感器網絡中，創新正在許多不同的層面上發生。尤其是 IC 制造商正在開發低功耗傳感器構建模塊，以幫助當今的工程師創建未來更智能、更高效的系統。
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布局中板層的PCB堆疊技術
電路板層堆疊變化將影響電路板的可制造性和成本。 在配置層堆疊時要考慮的信號和電源完整性細節。 不同的 PCB 堆疊技術以及您的設計工具如何幫助您實現目標。
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通過阻抗平衡降低電源中的 CM 噪聲
在緊湊空間中運行的簡單開關穩壓器電路（例如在小型 PCB 上）通常可以部署在嘈雜的環境中，而不會在輸出功率電平上疊加明顯的噪聲。只要您正確布置電路板，您可能只需要一個簡單的濾波器電路來消除輸入和輸出上的 EMI。隨著穩壓器在物理上和電氣上變得更大，噪聲問題會變得更加明顯，即 PCB 布局中的輻射 EMI 和傳導 EMI。
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工業設計中的實時控制和高精度數據采集
降低設計復雜性的其他系列功能包括片上抽取選項，使設計人員能夠輕松去除系統中不需要的噪聲和諧波，并將 SNR 和無雜散動態范圍提高多達 15 dB。這些抽取選項和互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 接口允許設計人員將這些 ADC 與基于 ARM 的處理器或數字信號處理器一起使用，而不是現場可編程門陣列，這有助于降低系統成本。
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